PN结#

P型半导体多子为空穴，N型半导体多子为电子

• PN结外加反向电压，使耗尽层变宽，PN结截止（如上图）
• PN结外加正向电压，使耗尽层变窄，高于导通电压时，PN结导通

注：常温下 $U_T\approx$ 26mV，称为温度的电压当量

稳压管#

• 稳压管伏安特性与二极管伏安特性相似
• 稳压二极管需反向接入，反向击穿后电流急剧增加，使电压“锁死”在$U_Z$

晶体三极管#

• 三极管相当于两个背置的两个二极管，c为集电极，e为发射极，b为基极
• 三极管箭头方向代表工作电流方向，也代表导通电压方向

晶体管输入输出特性曲线#

输入特性：当$U_{CE}$ 变大时，由于发射区注入基区的非平衡少子一部分越过集电结形成$i_C$ ，使得基区参与复合运动的非平衡少子随$U_{CE}$ 增大而减小，因此必须增大$U_{BE}$ 以获得同样$i_B$

输出特性：固定考察三种偏置状态，其余情况无须深究

• 截止区：$U_{BE}<U_{on}$ ，$U_{CE}>U_{BE}$ ，此时$i_C\approx 0$
• 饱和区：$U_{BE}>U_{on}$ ，$U_{CE}<U_{BE}$ ，$i_C$ 受漂移运动影响随$U_{CE}$ 变大而变大，直至进入放大区
• 放大区：$U_{BE}>U_{on}$ ，$U_{CE}>U_{BE}$ ，$i_C$ 仅取决于$i_B$ ，$i_C=\beta i_B$